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उत्पाद विवरण:
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| नाली-स्रोत वोल्टेज: | 100 वी | गेट-सोर्स वोल्टेज: | ± 20V |
|---|---|---|---|
| अधिकतम शक्ति अपव्यय: | 210W | स्पंदित नाली वर्तमान: | 395A |
| उच्च वोल्टेज: | हाँ | रिवर्स शरीर की वसूली: | हाँ |
| हाई लाइट: | pwm mosfet driver,mosfet stepper driver |
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JY11M N चैनल एन्हांसमेंट मोड पावर MOSFET
सामान्य विवरण
JY11M उच्च सेल को प्राप्त करने के लिए नवीनतम ट्रेंच प्रोसेसिंग तकनीकों का उपयोग करता है
घनत्व और उच्च पुनरावृत्ति हिमस्खलन रेटिंग के साथ प्रतिरोध को कम करता है। इन
सुविधाएँ इस डिज़ाइन को बनाने के लिए एक बहुत ही कुशल और विश्वसनीय उपकरण बनाती हैं
बिजली स्विचिंग अनुप्रयोग और अन्य अनुप्रयोगों की एक विस्तृत विविधता में उपयोग करें।
विशेषताएं
● 100V / 110A, R DS (ON) =6.5mV@V GS = 10V
● फास्ट स्विचिंग और रिवर्स बॉडी रिकवरी
● पूरी तरह से हिमस्खलन वोल्टेज और वर्तमान की विशेषता है
● अच्छा गर्मी लंपटता के लिए उत्कृष्ट पैकेज
अनुप्रयोगों
● स्विचिंग अनुप्रयोग
● हार्ड स्विच्ड और हाई फ्रीक्वेंसी सर्किट
● इन्वर्टर सिस्टम के लिए पावर प्रबंधन
पूर्ण अधिकतम रेटिंग (Tc = 25ºC जब तक अन्यथा नोट न हो)
| प्रतीक | पैरामीटर | सीमा | इकाई | |
| वी। डी.एस. | नाली-स्रोत वोल्टेज | 100 | वी | |
| वी। जी.एस. | गेट-सोर्स वोल्टेज | ± 20 | वी | |
| मैं डी | सतत नाली वर्तमान | टीसी = 25 º सी | 110 | ए |
| Tc = 100 º C | 82 | |||
| मैं डी.एम. | स्पंदित नाली वर्तमान | 395 | ए | |
| पी डी | अधिकतम शक्ति अपव्यय | 210 | डब्ल्यू | |
| टी जे टी एसटीजी | ऑपरेटिंग जंक्शन और भंडारण तापमान रेंज | -55 से +175 | º सी | |
| R θJC | थर्मल रेसिस्टेंस-जंक्शन टू केस | 0.65 | W सी / डब्ल्यू | |
| आर θJA | थर्मल प्रतिरोध-जंक्शन परिवेश को | 62 |
बिजली के लक्षण (टा = 25ºC जब तक अन्यथा नोट नहीं)
| प्रतीक | पैरामीटर | शर्तेँ | मिन | प्रकार | मैक्स | इकाई |
| स्थैतिक विशेषताओं | ||||||
| बी.वी. | नाली-स्रोत बिजली की ख़राबी | वी जीएस = 0 वी , आई डीएस = 250 यूए | 100 | वी | ||
| मैं डी.एस.एस. | शून्य गेट वोल्टेज नाली वर्तमान | वी डीएस = 100 वी, वी जीएस = 0 वी | 1 | uA | ||
| मैं जी.एस.एस. | गेट-बॉडी लीकेज वर्तमान | वी जीएस = GS 20 वी, वी डीएस = 0 वी | ± 100 | ना | ||
| वी जीएस (वें) | गेट थ्रेसहोल्ड वोल्टेज | V DS = V GS, I DS = 250uA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | वी |
| R DS (ON) | नाली-स्रोत ऑन-स्टेट प्रतिरोध | वी जीएस = 10 वी, आई डीएस = 40 ए | 6.5 | mΩ | ||
| जी एफएस | आगे transconductance | वी डीएस = 50 वी , मैं डीएस = 40 ए | 100 | एस |
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